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期刊名稱： | 半導(dǎo)體技術(shù) |
| 期刊級別： | 核心期刊 | |
| 國內(nèi)統(tǒng)一刊號： | 13-1109/TN | |
| 國際標(biāo)準(zhǔn)刊號： | 1003-353X | |
| 期刊周期： | 月刊 | |
| 主管單位： | 信息產(chǎn)業(yè)部 | |
| 主辦單位： | 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 | |
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• 期刊信息：《半導(dǎo)體技術(shù)》(月刊)1976年創(chuàng)刊，以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格，權(quán)威著述，在業(yè)內(nèi)深孚眾望，享譽(yù)中外，對我國半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術(shù)成果展示、轉(zhuǎn)化和技術(shù)交流的平臺，達(dá)到了促進(jìn)我國半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展的目的"是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務(wù)第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用的發(fā)展趨勢;專題報道：每期就設(shè)計、生產(chǎn)、應(yīng)用等企業(yè)關(guān)注的熱門技術(shù)及焦點論題，進(jìn)行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應(yīng)用：半導(dǎo)體器件的設(shè)計和制造及在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用;工藝技術(shù)與材料：介紹最新的半導(dǎo)體技術(shù)制作工藝和該領(lǐng)域用的新材料;集成電路設(shè)計與開發(fā)：各種IC的設(shè)計和應(yīng)用技術(shù)、設(shè)計工具及發(fā)展動向;封裝、測試與設(shè)備：介紹器件、芯片、電路的測試、設(shè)備和封裝的前沿技術(shù);MEMS技術(shù)：現(xiàn)代管理：半導(dǎo)體代工廠、潔凈廠房、半導(dǎo)體用水及氣體、化學(xué)品，等管理技術(shù);綜合新聞：及時發(fā)布世界各地半導(dǎo)體最新產(chǎn)品及技術(shù)信息。《半導(dǎo)體技術(shù)》的稿件來源于全國各主要研究機(jī)構(gòu)、大專院校和企事業(yè)單位等。《半導(dǎo)體技術(shù)》主管單位：信息產(chǎn)業(yè)部，主辦單位：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，國內(nèi)統(tǒng)一刊號：13-1109/TN，國際標(biāo)準(zhǔn)刊號：1003-353X
• 期刊欄目：趨勢與展望、專題報道、應(yīng)用長廊、設(shè)計與開發(fā)、支撐技術(shù)、新品推薦。
• 數(shù)據(jù)庫收錄情況：國家新聞出版總署收錄 維普網(wǎng)、萬方數(shù)據(jù)庫、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫、文摘雜志、化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)、日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)中國文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫、劍橋科學(xué)文摘社ProQeust數(shù)據(jù)庫、物理學(xué)、電技術(shù)、計算機(jī)及控制信息數(shù)據(jù)庫收錄
• 影響因子：截止2014年萬方：影響因子：0.228;總被引頻次：552
截止2014年知網(wǎng)：復(fù)合影響因子：0.386;綜合影響因子：0.209
•《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志發(fā)表論文：
GaN高頻開關(guān)電力電子學(xué)的新進(jìn)展………………………………………… 趙正平;
降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進(jìn)展…………………………………… 周志文;沈曉霞;李世國;
可嵌入RFID標(biāo)簽的低功耗單柵非易失性存儲器 ……………………………………楊亞楠;楊曉龍;陳力穎;
一種快速轉(zhuǎn)換的過溫保護(hù)電路 ……………………………………張專;程新紅;俞躍輝;王坤;
2～35 GHz單片微波集成功率檢測電路 ……………………………………趙子潤;楊實;
高穩(wěn)定度低相位噪聲溫補(bǔ)晶振芯片設(shè)計 ……………………………………黎榮林;黎敏強(qiáng);
摻鉑和電子輻照對快恢復(fù)二極管性能的影響 ……………………………………趙豹;賈云鵬;吳郁;胡冬青;周璇;李哲;譚健;
2016年主要欄目設(shè)置……………………………………
范文：降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進(jìn)展
【摘要】：Ge材料中n型雜質(zhì)激活的電子濃度偏低,以及費(fèi)米能級釘扎效應(yīng)導(dǎo)致的金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度偏大,使金屬與n型Ge接觸電阻較大?；贕e的材料特性,分析了缺陷對雜質(zhì)濃度以及費(fèi)米能級釘扎對電子勢壘高度的影響;綜述了提高Ge材料中n型摻雜電子濃度的方法,如激光退火、磷和銻共摻、循環(huán)離子注入/退火、氟鈍化等;討論了降低金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度的途徑,即插入薄的界面層形成金屬-界面層-Ge接觸。電子濃度的提高,以及電子勢壘高度的降低,有效地減小了金屬與n型Ge接觸電阻。
【關(guān)鍵詞】： 鍺(Ge) n型摻雜 金屬-界面層-半導(dǎo)體接觸 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 接觸電阻
