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期刊名稱： | 上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào) |
| 期刊級(jí)別： | 省級(jí)期刊 | |
| 國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)： | CN 31-1996/Z | |
| 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)： | ISSN 2095-0020 | |
| 期刊周期： | 雙月刊 | |
| 主管單位： | 上海市教育委員會(huì) | |
| 主辦單位： | 上海電機(jī)學(xué)院 | |
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《上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào)》期刊簡(jiǎn)介
• 期刊信息：《上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào)》本刊是上海電機(jī)學(xué)院主辦的，始創(chuàng)于1987年，自2005年起改為雙月刊，是反映學(xué)院各類工程與應(yīng)用技術(shù)教學(xué)、科研成果為主的綜合性學(xué)術(shù)理論刊物。本刊以馬列主義、毛澤東思想為指導(dǎo)，堅(jiān)持四項(xiàng)基本原則，高舉鄧小平理論偉大旗幟，以建設(shè)中國(guó)特色的社會(huì)主義事業(yè)為主線，交流科研成果，努力反映全國(guó)建設(shè)小康社會(huì)的理論和實(shí)踐研究成果，為全面建設(shè)小康社會(huì)、和諧社會(huì)服務(wù)?！渡虾ｋ姍C(jī)學(xué)院學(xué)報(bào)》主管單位：上海市教育委員會(huì)，主辦單位：上海電機(jī)學(xué)院，國(guó)內(nèi)刊號(hào)：CN 31-1996/Z，國(guó)際刊號(hào)：ISSN 2095-0020
• 期刊欄目：應(yīng)用技術(shù)、基礎(chǔ)理論研究、測(cè)試分析、綜合述評(píng)、社會(huì)科學(xué)、高等教育研究。
• 數(shù)據(jù)庫(kù)收錄情況：國(guó)家新聞出版總署收錄 本刊榮獲全國(guó)高校科技期刊優(yōu)秀編輯質(zhì)量獎(jiǎng)，是中國(guó)高校特色科技期刊。
• 2015 年《上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào)》第3期投稿論文目錄：
空間機(jī)器人的計(jì)算力矩實(shí)時(shí)控制方法………………………………………………邵兵 原恩桃
SiC基和Si基永磁同步電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的比較………………………………………謝昊天 秦海鴻 聶新 朱梓悅 馬策宇
基于三維熵特征的雷達(dá)信號(hào)識(shí)別………………………………………李靖超
基于人工蜂群算法的風(fēng)電功率預(yù)測(cè)技術(shù)………………………………………張?chǎng)?陳國(guó)初 王永翔
基于ANSYS的客車車身骨架有限元分析與優(yōu)化………………………………………烏秀春 鄭文強(qiáng) 趙雪雙
一種基于改善滑動(dòng)平均濾波器的鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)………………………………………尹萬(wàn)杰 高桂革 曾憲文 袁靖 王暉 肖浩
傳統(tǒng)Halbach列和雙層Halbach列的比較………………………………………趙朝會(huì) 蔡華鋒 郭江
面向助行機(jī)器人的Web監(jiān)控系統(tǒng)………………………………………張蕾
論文范例參考：SiC基和Si基永磁同步電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的比較
永磁同步電動(dòng)機(jī)(Permanent Magnet Syn-chronous Machine,PMSM)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在航空航天、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用及家用電器等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用[1-2],但目前作為關(guān)鍵元件之一的功率器件,因采用硅(Silicon,Si)材料制作,器件性能已很難大幅提升,制約了Si基PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)性能的進(jìn)一步提高[3-4]。與Si器件相比,以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具有更高的電壓等級(jí)、更高的開(kāi)關(guān)速度、更高的結(jié)溫和更低的開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)[5-7]。理論上利用SiC功率器件設(shè)計(jì)的逆變器可望明顯提高PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度以及動(dòng)態(tài)性能[8-9]。國(guó)外學(xué)者在母線電壓為600V,額定功率為60kW的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)樣機(jī)上對(duì)SiC MOSFET和Si IGBT進(jìn)行了比較,基于SiC MOSFET制造的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比Si IGBT制作的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率高2%[10-11]。
